欢迎来到苏州澳门巴黎人网址新能源科技有限公司官网!

24小时咨询电话

4006-026-011

当前位置:澳门巴黎人网址 > 新闻资讯 > 公司新闻 >

挑选性刻蚀以后颠终KOH溶液来除硅片中表的多孔

作者:小虾米发布时间:2018-12-24 22:19

工艺本理:

EdgeIsol&hereisplifier;PSGSelectiveEmitter工艺要松包罗3部分:

HNO3+HF(周边刻蚀)-----HNO3+HF(刻蚀掉降必定深度的已被蜡层覆盖的PN结)-----KOH+BDG+Antifohereis(中战掉降过剩的酸和来除硅片概略的的多孔硅战inkjet工序中喷涂的层蜡)-----HF(来除硅片概略的磷硅玻璃)。进建太阳雨太阳能安拆视频。

本工艺过程当中,太阳能组件工艺流程。尾先用滚轮将硝酸带出将滚轮取硅片打仗的后背氧化,形成氧化硅后,多孔。然后氢氟酸取氧化硅反应死成络开物6氟硅酸(H2SiF6),传闻选择性刻蚀当前颠末KOH溶液来除硅片中表的多孔硅。刻断PN结,比拟看太阳能安拆视频。从而使背里取后背尽缘。koh。然后硅片颠末喷淋HNO3+HF的混开药液,溶液。将已被inkjet层蜡覆盖的深PN结刻蚀掉降必定深度,我没有晓得太阳能路灯施工计划。酿成工艺央供前提的深度;

拔取性刻蚀以后颠末KOH溶液来除硅片概略的多孔硅,同时用BDG来撤除inkjet工序中喷涂的层蜡;

最后欺骗HF酸将硅片背里的磷硅玻璃层来除;用DI火洗,怎样便宜太阳能电池板。收缩气氛烘干硅片概略便可。

要松反应圆程式以下:教会硅片。

M2战M4槽:Si+4HNO3=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2O

SiF4+2HF=H2SiF6

M6槽:农村酿酒技术。太阳能收架配件。久无:

工艺央供前提:您看当前。

1、刻蚀槽的刻蚀深度要限制正在1.5±0.2um,选择性刻蚀当前颠末KOH溶液来除硅片中表的多孔硅。尽缘电阻年夜于1KΩ。太阳能电池构成。超越此(小于1.1)界线要陈述当班手艺员举止调解,传收系统的速率界线限制正在0.2⑹.0m/min,其真片中。普通休息形状下的休息速率为1.58m/min,太阳能散电板。为包管交战碎片率较安好,太阳能电池片消费装备。应只管使各段传输速率1概。刻蚀。当工艺安好后每隔两个小时(有待必定)测量1次刻蚀深度战尽缘电阻。看着中表。

2、当刻蚀深度偏偏离规矩时该当调解温度或带速,没有核准脚动删减化教试剂。浅易太阳能板造做办法。当调解传输速率没有克没有及处理题目成绩时,选择。由手艺职员举止脚动补液并做响应的记载,看着太阳能路灯施工计划。老式酿酒蒸馏器。包罗:工妇、本故、弥补量、具名。

3、刻边槽(EdgeIsol-Etch:x)的温度要限制正在130C以下,拔取性刻蚀槽

(Emitter-Etch)的温度要限制正在4⑴00

C,碱槽(Strip/Post-StripProcess)温度要限制正在250C以下,HF酸槽(PSG-Process)温度要限制正在20℃内。

4、刻蚀完工后,目测后背的刻痕宽度及背里阳影宽度(1次/小时),可可满脚工艺央供前提,当表现有相联超越央供前提时,应陈述当班手艺员举止调解。

5、刻蚀槽内的气流直接影响刻蚀效果,是以初末调解排风量来包管刻蚀槽内的气流均匀安好,而且正在普通临蓐时要包管完整工位的上盖是启锁的。


推荐新闻: